晶片绝缘层内连线的制造方法与结构专利登记公告

专利名称：晶片绝缘层内连线的制造方法与结构

摘要：提供了一种晶片绝缘层内连线的制造方法。先提供一晶片，此晶片上已形成有多条导线，且导线上覆盖有绝缘层。然后，在绝缘层中形成两孔洞，以分别暴露出其中两条导线。接着，在孔洞中填入第一导电层，以形成两标记图案，并于晶片上形成掩模，共形的覆盖住绝缘层以及上述的两标记图案。之后，至少移除两标记图案上以及两标记图案之间的掩模以形成沟渠，以暴露出两标记图案以及绝缘层。然后，于掩模上形成第二导电层，覆盖住被暴露出的两标记图案以及绝缘层。之后，移除掩模，并同时剥除掩模上方的第二导电层。

专利类型：发明专利

专利号：CN200410011590.4

专利申请（专利权）人：联华电子股份有限公司

专利发明（设计）人：林国世;邱素萍

主权项：1.一种晶片绝缘层内连线的制造方法，包括：提供一晶片，该晶片上已形成有多条导线，且该些导线上覆盖有一绝缘层；于该绝缘层中形成两孔洞，以分别暴露出该些导线的其中两导线；于该些孔洞中填入一第一导电层，以形成两标记图案；于该晶片上形成一掩模，共形的覆盖住该绝缘层以及该些标记图案；至少移除该些标记图案上以及该些标记图案之间的该掩模以形成一沟渠，暴露出该些标记图案以及该绝缘层；于该掩模上形成一第二导电层，覆盖住被暴露出的该些标记图案以及该绝缘层；以及移除该掩模，并同时剥除该掩模上方的该第二导电层。

专利地区：台湾