具有硅衬底的氧化锌薄膜及制备方法专利登记公告
专利名称：具有硅衬底的氧化锌薄膜及制备方法
摘要：本发明涉及半导体薄膜材料，特别涉及宽禁带半导体材料。它包括衬底、过渡层和ZnO外延层，其过渡层是在Si基片上利用硅烷和丙烷作为反应源生长形成的SiC膜层，该层厚度为0.005-3微米。制备方法包括清洗Si基片、制备SiC过渡层及ZnO薄膜，制备SiC过渡层是在去除表面氧的Si基片上，利用硅烷和丙烷作为反应源，在氢气氛、压力大于2000帕真空、1200-1400℃温度环境中生长形成SiC膜层。本发明减少了晶格失配和热胀系数失配造成的晶格缺陷，提高了在Si基上制备的ZnO薄膜的结晶质量；同时利用SiC击穿场强高的优点，有望开拓ZnO基的新型光电材料。两次外延技术较为成熟，成本相对比较低廉，易实现产业化。ZnO/SiC/Si薄膜比在Si基片上直接外延ZnO薄膜的结晶程度有了很大的提高，紫外发光强度也大大增强。
专利类型：发明专利
专利号：CN200410065875.6
专利申请（专利权）人：中国科学技术大学
专利发明（设计）人：傅竹西;朱俊杰;姚 然;林碧霞
主权项：1.一种具有硅衬底的氧化锌薄膜，包括衬底、过渡层和ZnO外延层，其特征在于，所述的过渡层是在Si基片上利用硅烷和丙烷作为反应源生长形成的SiC膜层，该层厚度为0.005-3微米。
专利地区：安徽
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