一种采用纯数字工艺制作的电容专利登记公告

专利名称：一种采用纯数字工艺制作的电容

摘要：本发明一种采用纯数字工艺制作的电容，涉及集成电路技术领域，属于微电子学与固体电子学领域的超大规模集成电路设计，是一种纯数字工艺下制作的具有较大单位面积电容的电容。该电容，利用两条相邻的同层金属条，或两条相邻的同层多晶硅条作为电容的两个极板，其中的层间介质作为电容的绝缘介质。将多条多晶硅条或金属条形成插指结构连接，等效于多个电容并联。同时，将利用各层的金属条构成的电容通过过孔连接起来，过孔的电容也会贡献一部分电容，从而进一步增大单位面积的电容。考虑到设计工艺制作中设计规则的限制，电容在实现时不使用顶层金属。这样可以在纯数字工艺下得到较大的单位面积电容。

专利类型：发明专利

专利号：CN200410098991.8

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：郭慧民;陈 杰

主权项：1.一种采用纯数字工艺制作的电容，由多晶硅条、金属条、层间介质和接触组成，其特征在于，利用两条相邻的同层金属条，或两条相邻的同层多晶硅条作为电容的两个极板，其中的层间介质作为电容的绝缘介质，将多条多晶硅条或金属条形成插指结构连接，等效于多个电容并联，同时，将各层的金属条构成的电容通过过孔连接起来，过孔的电容也会贡献一部分电容，从而进一步增大单位面积的电容。

专利地区：北京