一种III族氮化物衬底的生产设备专利登记公告

专利名称：一种III族氮化物衬底的生产设备

摘要：一种III族氮化物衬底的生产设备，为复合型MOCVD-HVPE设备。在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)设备中封闭生长室内设有金属舟，金属舟内装有金属，另有氯化氢气体通过金属舟，具有卤化物气相外延功能，使设备同时具有金属有机物化学气相淀积和卤化物气相外延双层功能。用该设备只需要在一个反应室中即可完成氮化镓衬底整个生长过程：先用金属有机源和氨气在衬底上生长0.1～1微米的氮化物结晶层，然后关闭金属有机源，同时将装有金属的金属舟升温并通入氯化氢气体，生长约300微米的氮化物衬底层。该方法不降温、没有生长停顿、取出等过程，完全避免了由于多次生长造成的样品表面粘污和表面再构等问题。

专利类型：发明专利

专利号：CN200410098993.7

专利申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所

专利发明（设计）人：刘祥林;焦春美

主权项：1、一种III族氮化物衬底的生产设备，主体是一台金属有机物化学气相淀积设备，在封闭生长室的侧面有氨气入口、金属有机源入口和取样口，生长室内有石墨台，衬底置于石墨台上，石墨台由其中心垂直伸出的旋转轴支撑，旋转轴与动力部分相连接，在动力带动下，旋转轴和石墨台同步旋转，石墨台四周边设有加热机构；其特征在于：在封闭生长室内还设有金属舟，金属舟内装有金属，具有卤化物气相外延功能，使设备同时具有金属有机物化学气相淀积和卤化物气相外延双层功能。

专利地区：北京