形成含二氧化硅的层的原子层沉积方法专利登记公告

专利名称：形成含二氧化硅的层的原子层沉积方法

摘要：在沉积室中定位衬底。在对于向衬底上化学吸附含硅的第一物种单层有效的条件下，向该室中流入三甲基硅烷并且向该室中流入第一惰性气体。第一惰性气体在第一速率下流动。在形成第一物种单层后，在对于氧化剂与化学吸附的第一物种反应和在衬底上形成含二氧化硅的单层有效的条件下，向该室中流入氧化剂并且向该室中流入第二惰性气体。第二惰性气体在低于第一速率的第二速率下流动。依次重复所述的a)三甲基硅烷和第一惰性气体的流动和b)氧化剂和第二惰性气体的流动，从而有效地在衬底上形成含二氧化硅的层。关注其它的实施和方面。

专利类型：发明专利

专利号：CN200480027215.7

专利申请（专利权）人：微米技术有限公司

专利发明（设计）人：李 丽;李伟民;G·S·桑德霍

主权项：权利要求书1.一种在衬底上形成含二氧化硅的层的原子层沉积方法，该方法包括：在沉积室中定位衬底；在对于向衬底上化学吸附含硅的第一物种单层有效的条件下，向所述室中流入三甲基硅烷并且向所述室中流入第一惰性气体，第一惰性气体在第一速率下流动；在形成第一物种单层后，在对于氧化剂与化学吸附的第一物种反应和在衬底上形成含二氧化硅的单层有效的条件下，向所述室中流入氧化剂并且向所述室中流入第二惰性气体；第二惰性气体在低于第一速率的第二速率下流动；和依次重复所述的a)三甲基硅烷和第一惰性气体的流动和b)氧化剂和第二惰性气体的

专利地区：美国