超过800万条软件/作品著作权公告信息!

提供基于中国版权保护中心以及各省市版权局著作权登记公告信息查询

溅射靶及使用其的Si氧化膜的制造方法专利登记公告


专利名称:溅射靶及使用其的Si氧化膜的制造方法

摘要:通过X射线衍射法测定溅射面的结晶面方位时,Si溅射靶的Si的(111)面的峰强度(I(111))与(220)面的峰强度(I(220))的比率(I(111)/I(220))在1.8±0.3的范围。Si溅射靶具有例如相对密度在70%以上95%以下范围的Si烧结材。通过这样的Si溅射靶,可改善Si氧化膜等溅射膜的膜厚特性以及成膜成本等。

专利类型:发明专利

专利号:CN200480027599.2

专利申请(专利权)人:株式会社东芝;东芝高新材料公司

专利发明(设计)人:渡边光一;铃木幸伸;石上隆

主权项:权利要求书1.溅射靶,所述溅射靶是实质上由Si形成的溅射靶,其特征在于,由X射线衍射法测定上述靶的溅射面的结晶面方位上的Si的(111)面的峰强度(I(111))与(220)面的峰强度(I(220))的比率(I(111)/I(220))在1.8±0.3的范围内。

专利地区:日本