内置位移传感器的磁流变阻尼器专利登记公告

专利名称：内置位移传感器的磁流变阻尼器

摘要：本发明公开了一种内置位移传感器的磁流变阻尼器，内置位移传感器的磁流变阻尼器由工作缸、芯部带大小孔的活塞、活塞杆、内置管和位移传感器构成，在工作缸内充满磁流变液；当活塞杆推动活塞在工作缸内运动时，活塞杆进入或退出工作缸内的同时，内置管也进入或退出活塞的大孔内，因活塞杆的外径与内置管相同，使工作缸内的体积不变；活塞运动时还带动安装在内置管中的位移传感器的滑动轴运动，使安装在内置管内的位移传感器能输出活塞实时位移量的信号。

专利类型：发明专利

专利号：CN200910250813.5

专利申请（专利权）人：谭和平

专利发明（设计）人：谭和平

主权项：一种内置位移传感器的磁流变阻尼器，其包括工作缸、活塞、活塞杆、励磁线圈、内置管和位移传感器；所述活塞安装在工作缸内，活塞中部绕有励磁线圈，励磁线圈外加装有保护层，该保护层与活塞外周壁齐平，活塞外周壁及保护层与工作缸内周壁之间留有磁流变液流动间隙；所述活塞杆的一端与活塞的一端固定，活塞杆的另一端通过工作缸端面的密封圈和轴承从工作缸一端伸出；所述励磁线圈的引出线通过活塞杆中心孔引出至工作缸外，工作缸内充满磁流变液；所述活塞和工作缸采用高导磁金属材料。其特征在于：所述活塞芯部的轴向为大、小孔结构，活塞杆中心孔还

专利地区：重庆