太阳能晶片的掺杂方法以及掺杂晶片专利登记公告

专利名称：太阳能晶片的掺杂方法以及掺杂晶片

摘要：本发明公开了一种太阳能晶片的掺杂方法包括以下步骤：步骤S1、在N型基底表面形成P+型掺杂层；步骤S2、在该P+型掺杂层表面形成一保护薄膜；步骤S3、蚀刻该保护薄膜、该P+型掺杂层和该N型基底以在该N型基底中形成一凹槽；步骤S4、加速N型离子并通过离子注入的方式将该N型离子从该凹槽注入至N型基底中以形成N+型掺杂区域，其中，该N+型掺杂区域与该未经蚀刻的P+型掺杂层互不接触；步骤S5、去除该保护薄膜，其中，所述的P型替换为N型时，N型同时替换为P型。本发明还公开了一种掺杂晶片。本发明的掺杂方法简化了工艺步骤

专利类型：发明专利

专利号：CN201010598959.1

专利申请（专利权）人：上海凯世通半导体有限公司

专利发明（设计）人：陈炯;钱锋;洪俊华

主权项：一种太阳能晶片的掺杂方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤S1、在N型基底表面中形成P+型掺杂层；步骤S2、在该P+型掺杂层表面形成一保护薄膜；步骤S3、蚀刻该保护薄膜、该P+型掺杂层以及该N型基底以在该N型基底中形成一凹槽；步骤S4、在N型基底的凹槽表面中形成N+型掺杂区域，其中，该N+型掺杂区域与该未经蚀刻的P+型掺杂层互不接触；步骤S5、去除该保护薄膜，其中，所述的P型替换为N型时，N型同时替换为P型。

专利地区：上海