一种改进的锑化铟多元列阵器件工艺专利登记公告
专利名称：一种改进的锑化铟多元列阵器件工艺
摘要： 一种改进的锑化铟多元列阵器件工艺,它是在原有的p-n结合面形成、二氧化硅介质隔离、铬金延伸电极的工艺中,引入阳极氧化法,从而克服了原工艺的缺陷,提高了器件成品率和成品器件的性能,做出了64元多元列阵器件.其改进方法不仅适用于锑化铟材料的器件工艺,也适合在其他材料器件工艺中应用.
专利类型：发明专利
专利号：CN85108767
专利申请（专利权）人：中国科学院上海技术物理研究所
专利发明（设计）人：俞振中; 陈新强; 沈寿珍; 胡文军
主权项： 一种改进的锑化铟多元列阵器件工艺，包括ｐ—ｎ结台面形成，二氧化硅［６］介质隔离，铬金延伸电极，其特征是在二氧化硅窗口开出后，先保护电极窗口［４］，然后在ＫＯＨ溶液中阳极氧化，氧化后即严格清洗芯片。
专利地区：上海
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