超小型芯片电容器专利登记公告

专利名称：超小型芯片电容器

摘要：超小型芯片电容器，广泛应用在直流DC块和射频RF旁路，或在滤波器、振荡器和匹配网络中作为固定容量调整元件。超小型芯片电容器的基本结构为硅单晶片1作衬底，采用半导体制作工艺，在硅单晶片1的一面附着一层二氧化硅介质层2，上下两面通过蒸发、溅射一层钼或镍后，再蒸发、溅射金作为电极，再切片制作成超小型芯片电容器。介质材料温度系数小于50ppm/℃，宽的工作范围-65℃～200℃；高的绝缘电阻达10⁵MΩ；工作频率高达26GHz；在50Ω测试系统中典型的插入损耗为0.04dB。超小型芯片电容器具有很高的Q值，电容量可以做到1pF～1000pF，外形尺寸小可做到长0.2mm×宽0.2mm×厚度0.15mm。

专利类型：实用新型专利

专利号：CN02244597.8

专利申请（专利权）人：成都宏明电子股份有限公司

专利发明（设计）人：魏永霞

主权项：1、一种超小型芯片电容器，其特征在于，具备：有用作衬底的硅单晶片(1)，形成于硅单晶片(1)的上部的二氧化硅介质层(2)，形成于二氧化硅介质层(2)的上部的钼、镍中的任一导体层(3)，形成于导体层(3)上部的金的表面电极(4)，形成于硅单晶片(1)的下部的钼、镍中的任一导体层(5)，形成于导体层(5)的下部的金的表面电极(6)。

专利地区：四川