新结构相关双采样保持电路专利登记公告

专利名称：新结构相关双采样保持电路

摘要：新结构相关双采样保持电路，包含有源随管M_sf1、开关管M_Lp、采样选通管M_sh和直流复位管M_dc，源随管M_sf1的源极经开关管M_Lp接电源，且经采样保持电容C_cds接缓冲输出级的输入端，漏极经采样选通管M_sh接地，栅极接积分电容。源随管M_sf1的源极和衬底接在一起，以减小MOS管的体效应；直流复位管M_dc的漏极和源极分别接缓冲输出级的输入端和地；开关管M_Lp、采样选通管M_sh和直流复位管M_dc的栅极均接同一控制脉冲V_cdsh。它具有结构简单、驱动脉冲简单，数模转换方便，且提高了帧频率，功耗很小和输出噪声特性大幅改善等优点。本实用新型可用于各种光电、光伏和光导探测器的积分信号的输出处理。

专利类型：实用新型专利

专利号：CN02245464.0

专利申请（专利权）人：重庆大学

专利发明（设计）人：袁祥辉;张智;黄友恕;吕果林

主权项：1、新结构相关双采样保持电路，其特征在于含有源随管(Msf1)、开关管(MLp)、采样选通管(Msh)和直流复位管(Mdc)，各MOS晶体管分别有源极、漏极和栅极；源随管(Msf1)的源极经开关管(MLp)接电源，且经采样保持电容(Ccds)接缓冲输出级的输入端，漏极经采样选通管(Msh)接地，栅极接积分电容；源随管Msf1的源级和衬底接在一起；直流复位管(Mdc)的漏极和源极分接缓冲输出级的输入端和地；开关管(MLp)、采样选通管(Msh)和直流复位管(Mdc)的栅极均接同一控制脉冲Vcdsh。

专利地区：重庆