倾斜离子注入型垂直腔面发射激光器专利登记公告

专利名称：倾斜离子注入型垂直腔面发射激光器

摘要：本实用新型涉及一种倾斜离子注入型垂直腔面发射激光器，由下电极1，n-GaAs衬底2，多层1/4波长的n-Al_xGa_1-xAs/Al_yGa_1-yAs(x为0.05-0.2，y为0.5-1)异质薄膜下反射镜3，n-Al_zGa_1-zAs(z为0.3-0.5)下限制层4，GaAs有源层5，p-Al_zGa_1-zAs上限制层6，多层1/4波长p-Al_xGa_1-xAs/Al_yGa_1-yAs上反射镜7和上电极8，出光窗口9，离子注入高阻区10和非离子注入的电流导通区11构成。导通区11呈漏斗状，由两次钨丝垂直交叉掩膜四面倾斜离子注入形成。该激光器具有低阈值，高均匀性和成品率，低串联电阻等优点。

专利类型：实用新型专利

专利号：CN02251094.X

专利申请（专利权）人：吉林大学

专利发明（设计）人：杜国同

主权项：1、一种倾斜离子注入型垂直腔面发射激光器，由下电极(1)，n-GaAs衬底(2)，多层1/4波长的n-AlxGa1-xAs/AlyGa1-yAs(x为0.05-0.2，y为0.5-1)异质薄膜下反射镜(3)，n-AlzGa1-zAs(z为0.3-0.5)下限制层(4)，GaAs有源层(5)，p-AlzGa1-zAs上限制层(6)，多层1/4波长p-AlxGa1-xAs/AlyGa1-yAs上反射镜(7)和上电极(8)，出光窗口(9)，可以隔离电流的离子注入高阻区(10)和非离子注入的电流导通区(11)构成

专利地区：吉林