一种高压传输控制的电路结构专利登记公告

专利名称：一种高压传输控制的电路结构

摘要：本实用新型是一种高压传输控制的电路结构。现有技术中高压传输控制的电路结构规模大，工艺复杂，制作麻烦。本实用新型利用两个NMOS实现了数字信号对高压信号的传输控制，大大简化了高压传输控制电路的复杂度。本实用新型电路结构简单，制备方便，使用效果良好。

专利类型：实用新型专利

专利号：CN02260524.X

专利申请（专利权）人：上海复旦微电子股份有限公司

专利发明（设计）人：杨庆森

主权项：一种高压传输控制的电路结构，由两个NMOS组成，其特征是一个NMOS开关管m1，m1的有源区a端是高压传输控制逻辑，m1有源区的另一端是在另一个NMOS开关管m2的第一层栅d上，m1的栅极是接逻辑高电平vdd；另一个NMOS开关管m2是双栅结构，其第一层栅是连接m1有源区的d端，其第二层栅与m2的有源区短接到c端，两层栅板构成了一个电容Cs；m2有源区的另一端b作为高压的输出端。

专利地区：上海