开放漏极驱动器及包括该开放漏极驱动器的开关电路专利登记公告

专利名称：开放漏极驱动器及包括该开放漏极驱动器的开关电路

摘要：一种开放漏极驱动器(7)选择地将无源地保持在导通状态的MOSFET开关(MN1)切换到非导通状态。该MOSFET开关(MN1)将主输入端(3)上的AC模拟输入信号切换到主输出端(4)，并且MOSFET开关(MN1)的栅极通过电容器(C1)与其漏极AC耦合。该开放漏极驱动器(7)包括第一MOSFET(MN2)和第二MOSFET(MN3)，通过它，将MOSFET开关(MN1)的栅极拉引到地(Vss)。第一MOSFET(MN2)的栅极与电源电压(V_DD)耦合，用于将第一MOSFET(MN2)保持在开放状态。向第二MOSFET(MN3)的栅极施加控制信号，用于选择地使开放漏极驱动器(7)工作处于导通状态，从而使MOSFET(MN3)工作处于非导通状态。当第二MOSFET(MN3)处于非导通状态时，第一MOSFET(MN2)保持在导通状态，直到第一和第二MOSFET(MN2，MN3)之间的耦合节点上的电压等于其栅极电压与其阈值电压之差为止，并且施加给MOSFET开关(MN1)的栅极的任何过电压都被第一和第二MOSFET(MN2，MN3)分压。

专利类型：发明专利

专利号：CN200610081774.7

专利申请（专利权）人：阿纳洛格装置公司

专利发明（设计）人：约翰·J·奥多奈尔;迈克尔·C·W·科尔恩;玛丽亚·D·M·C·马蒂

主权项：权利要求书1.一种开放漏极驱动器，包括：第一晶体管，其具有源极，与驱动器的输出节点耦合的漏极，和与偏置电压节点耦合的栅极，该偏置电压节点接收偏置电压，用于使第一晶体管保持导通状态，同时使其栅极与源之间的电压差大于或等于第一晶体管的阈值电压，第二晶体管，其具有通过耦合节点与第一晶体管的源极耦合的漏极，与用于接收开关电压的开关电压节点耦合的源极，和与控制节点耦合的栅极，该控制节点用于接收控制信号，以便操作第二晶体管选择地和交替地处于非导通状态和导通状态，其中当第二晶体管处于非导通状态时，使得输出节点处于高阻抗

专利地区：美国