一种用于厚膜光刻胶的清洗剂专利登记公告

专利名称：一种用于厚膜光刻胶的清洗剂

摘要：本发明公开了一种用于厚膜光刻胶的清洗剂。这种光刻胶清洗剂包含二甲基亚砜、氢氧化钾、醇胺、芳基醇、聚丙烯酸类缓蚀剂和硫脲类缓蚀剂。这种光刻胶清洗剂可进一步包含极性有机共溶剂、表面活性剂和/或除聚丙烯酸类缓蚀剂以外的其它缓蚀剂。这种光刻胶清洗剂可以除去金属、金属合金或电介质基材上的100μm以上厚度的厚膜光刻胶(光阻)，同时对铝和铜等金属以及二氧化硅等非金属材料具有极弱的腐蚀性，不会对晶片图案和基材造成损坏，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。

专利类型：发明专利

专利号：CN200810202184.4

专利申请（专利权）人：安集微电子(上海)有限公司

专利发明（设计）人：曹惠英;彭洪修;史永涛

主权项：一种用于厚膜光刻胶的清洗剂，其包含：二甲基亚砜、氢氧化钾、醇胺、芳基醇、聚丙烯酸类缓蚀剂和硫脲类缓蚀剂。

专利地区：上海