使介电膜固化的方法专利登记公告

专利名称：使介电膜固化的方法

摘要：描述了一种用于使衬底上的低介电常数(low-k)介电膜固化的方法，其中，low-k介电膜的介电常数比约4的值更低。所述方法包括将low-k介电膜暴露于紫外线(UV)辐射。在UV暴露之后，将介电膜暴露于IR辐射。

专利类型：发明专利

专利号：CN200880107034.3

专利申请（专利权）人：东京毅力科创株式会社

专利发明（设计）人：刘俊军;多雷尔·I·托玛;埃里克·M·李

主权项：一种方法，其用于使衬底上的低介电常数(low-k)介电膜固化，所述方法包括以下步骤：将具有低介电常数介电膜的衬底布置在固化系统中；在所述固化系统中使所述低介电常数介电膜暴露于紫外线(UV)辐射；并且在所述紫外线暴露之后，使所述低介电常数介电膜暴露于红外线(IR)辐射，其中所述低介电常数介电膜的介电常数比约为4的值更低。

专利地区：日本