半导体式气体传感器及其制造方法专利登记公告

专利名称：半导体式气体传感器及其制造方法

摘要：本发明的半导体式气体传感器及其制造方法，可明显增加对于低浓度气体的检测灵敏度，并可加快响应—回复速度，实现整体性能的显著提高。本发明的半导体式气体传感器具有：中央部具有中空部(1a)的Si基板(1)；以遮住所述中空部(1a)的状态布设在该基板(1)上的膜片构造的绝缘膜(2)；形成在该绝缘膜(2)上的加热器(4)；电阻测定用电极(6)以及形成在该电阻测定用电极(6)上的气体感应膜(7)，所述气体感应膜(7)由包含六方晶氧化钨结晶的单斜晶氧化钨构成。

专利类型：发明专利

专利号：CN200880107211.8

专利申请（专利权）人：学校法人立命馆;株式会社堀场制作所

专利发明（设计）人：玉置纯;中田嘉昭;山岸丰

主权项：一种半导体式气体传感器，包括：中央部具有中空部的半导体基板；以遮住所述中空部的状态布设在该基板上的膜片构造的绝缘膜；形成在该绝缘膜上的加热器；电阻测定用电极以及形成在该电阻测定用电极上的气体感应膜，该半导体式气体传感器的特征在于，所述气体感应膜由包含六方晶氧化钨结晶的单斜晶氧化钨构成。

专利地区：日本