干涉式光伏电池专利登记公告

专利名称：干涉式光伏电池

摘要：某些实施例包括经干涉调谐的光伏电池(2100)，其中来自分层式光伏装置的界面的反射相干地总计，以在所述光伏电池(2100)的将光能转换成电能的有源区域中产生增加的场。此类经干涉调谐或干涉式光伏装置(iPV)增加所述干涉式光伏电池(2100)的所述有源区域(2101)中对光能的吸收且借此增加所述装置的效率。在各种实施例中，在所述光伏装置(2100)中包括一个或一个以上光学谐振腔(2110)和/或光学谐振层以增加所述有源区域(2101)中的电场集中和所述吸收。

专利类型：发明专利

专利号：CN200880108464.7

专利申请（专利权）人：高通MEMS科技公司

专利发明（设计）人：卡斯拉·哈泽尼;马尼什·科塔里;徐刚

主权项：一种光伏装置，其包含：有源层，其经配置以由于由所述有源层吸收的光而产生电信号；反射体层，其经安置以反射透射穿过所述有源层的光；以及光学谐振腔，其在所述有源层与所述反射体层之间，所述光学谐振腔包含电介质，所述光学谐振腔的存在增加由所述有源层吸收的光的量。

专利地区：美国