辐照发射装置及其制造方法专利登记公告

专利名称：辐照发射装置及其制造方法

摘要：本发明涉及辐照发射装置，其具有第一电极(100)、第一发射层(400)、第二发射层(410)和第二电极(110)。此外，本发明涉及制造辐照发射装置的方法。

专利类型：发明专利

专利号：CN200880108606.X

专利申请（专利权）人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

专利发明（设计）人：M·费勒;K·霍伊泽;E·霍夫林;T·施伦克;A·英格尔;M·波普;M·克莱因;N·里格尔;G·施米德;R·克劳斯;S·塞德尔;F·科兹劳斯基;A·孔策;G·吉雷斯

主权项：辐照发射装置，其包括：-第一电极(100)，其在运行中发出第一电荷的载流子，-第一发射层(400)，其具有第一发射材料且设置在所述第一电极(100)上，-第二发射层(410)，其具有第二发射材料且设置在所述第一发射层(400)上，以及-第二电极(110)，其在运行中发出第二电荷的载流子且设置在所述第二发射层(410)上，其中-所述第一和/或第二发射材料是发磷光的，并且所述第一发射材料在与第二发射材料不同的波长发出辐照。

专利地区：德国