发射辐射的半导体本体专利登记公告

专利名称：发射辐射的半导体本体

摘要：本发明描述了一种发射辐射的半导体本体(1)，其带有用于产生第一波长(λ1)的辐射的有源层(2)和再发射层(3)，该再发射层(3)具有带有量子层结构(5)和势垒层结构(6)的量子阱结构(4)。再发射层设计用于借助第一波长的辐射在势垒层结构中的吸收来产生第二波长(λ2)的非相干辐射。

专利类型：发明专利

专利号：CN200880108875.6

专利申请（专利权）人：欧司朗光电半导体有限公司

专利发明（设计）人：托尼·阿尔布雷希特;斯特凡·巴德尔;贝特霍尔德·哈恩

主权项：一种发射辐射的半导体本体(1)，其带有用于产生第一波长(λ1)的辐射的有源层(2)和再发射层(3)，该再发射层(3)具有带有量子层结构(5)和势垒层结构(6)的量子阱结构(4)，其中再发射层设计用于借助第一波长的辐射在势垒层结构中的吸收来产生第二波长(λ2)的非相干辐射。

专利地区：德国