带有多量子阱结构的光电子半导体芯片专利登记公告

专利名称：带有多量子阱结构的光电子半导体芯片

摘要：本发明提出了一种光电子半导体芯片，其具有有源区(20)，该有源区包含设计用于产生电磁辐射的多量子阱结构，该多量子阱结构具有多个相继的量子阱层(210，220，230)。多量子阱结构具有至少一个第一量子阱层(210)，其被n导电地掺杂并且设置在与所述第一量子阱层(210)邻接的n导电地掺杂的两个势垒层(250)之间。多量子阱结构具有第二量子阱层(220)，其未掺杂并且设置在与所述第二量子阱层邻接的两个势垒层(250，260)之间，其中一个势垒层n导电地掺杂而另一个未掺杂。此外，多量子阱结构具有至少一个第三量

专利类型：发明专利

专利号：CN200880108978.2

专利申请（专利权）人：欧司朗光电半导体有限公司

专利发明（设计）人：彼得·施陶斯;马蒂亚斯·彼得;亚历山大·沃尔特

主权项：一种光电子半导体芯片，具有有源区(20)，该有源区包含设计用于产生电磁辐射的多量子阱结构，该多量子阱结构包含多个相继的量子阱层(210，220，230)，其中所述多量子阱结构具有：-至少一个第一量子阱层(210)，其n导电地掺杂并且设置在与所述第一量子阱层(210)邻接的、n导电地掺杂的两个势垒层(250)之间，-第二量子阱层(220)，其未掺杂并且设置在两个与所述第二量子阱层邻接的势垒层(250，260)之间，其中一个势垒层n导电地掺杂而另一个未掺杂，以及-至少一个第三量子阱层(230)，其未掺杂并且设

专利地区：德国