相变存储器结构专利登记公告

专利名称：相变存储器结构

摘要：相变存储器单元(1311)具有第一电极、加热器(1505)、相变材料、以及第二电极。加热器(1505)在第一电极之上，并且加热器包括柱。相变材料(1701)在加热器周围。第二电极被电耦合到相变材料。在某些实施例中，一种方法包括在衬底上形成电极层，沉积第一层，在第一层只傻姑娘提供纳米簇(1411)，并蚀刻第一层。第一层包括由加热器材料和相变材料组成的组之一。可以使用纳米簇(1411)限定图案来蚀刻第一层以便从第一层形成柱。

专利类型：发明专利

专利号：CN200880109055.9

专利申请（专利权）人：飞思卡尔半导体公司

专利发明（设计）人：R·穆拉利德哈;T·P·麦钱特;R·A·劳

主权项：一种相变存储器单元，包括：第一电极；位于第一电极之上的加热器，其中，所述加热器包括柱；在所述柱周围的相变材料；以及位于所述加热器和所述相变材料之上的第二电极，所述第一电极至少经由所述相变材料电耦合到所述第二电极。

专利地区：美国