用于无机材料的选择区域沉积的有机硅氧烷材料专利登记公告

专利名称：用于无机材料的选择区域沉积的有机硅氧烷材料

摘要：一种用于形成构图薄膜的原子层沉积方法，包括：(a)提供基板；(b)向基板涂布含有沉积抑制剂材料的组合物，其中该沉积抑制剂材料是有机硅氧烷聚合物；和(c)在步骤(b)后或在与涂布沉积抑制剂材料的同时对沉积抑制剂材料进行构图，从而有效地提供没有沉积抑制剂材料的选择区域。该无机薄膜基本上仅沉积在没有沉积抑制剂材料的基板的选择区域中。

专利类型：发明专利

专利号：CN200880109095.3

专利申请（专利权）人：伊斯曼柯达公司

专利发明（设计）人：C·杨;L·M·欧文;D·H·莱维;P·J·考德里-科尔万;D·C·弗里曼

主权项：一种用于形成构图薄膜的原子层沉积方法，包括：(a)提供基板；(b)向基板涂布含有沉积抑制剂材料的组合物，其中该沉积抑制剂材料包含有机硅氧烷聚合物，该聚合物可以任选地被交联；(c)在步骤(b)后或在与涂布沉积抑制剂材料的同时对沉积抑制剂材料进行构图，从而有效地提供没有沉积抑制剂材料的选择区域；以及(d)通过原子层沉积，将无机薄膜沉积在基板上；其中，该无机薄膜基本上仅沉积在没有沉积抑制剂材料的基板的选择区域中。

专利地区：美国