发射辐射的半导体芯片专利登记公告

专利名称：发射辐射的半导体芯片

摘要：本发明涉及一种发射辐射的半导体芯片(1)，其包括用于产生波长为λ的辐射的有源区(2)以及具有不规则地布置的结构元件的结构化区域(3)，这些结构元件包含具有第一折射率n1的第一材料，并且被具有第二材料的介质包围，该第二材料具有第二折射率n2。此外，还说明一种用于制造这种半导体芯片的方法。

专利类型：发明专利

专利号：CN200880109326.0

专利申请（专利权）人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

专利发明（设计）人：A·莱利;C·埃克勒;C·鲁姆博尔茨

主权项：一种发射辐射的半导体芯片(1)，包括：-用于产生波长为λ的辐射的有源区(2)，-具有不规则地布置的结构元件的结构化区域(3)，这些结构元件包含具有第一折射率n1的第一材料并且被具有第二材料的介质包围，该第二材料具有第二折射率n2。

专利地区：德国