有机辐射发射构件专利登记公告

专利名称：有机辐射发射构件

摘要：本发明涉及一种有机辐射发射构件如有机发光二极管(OLED)，其包括至少两个电极层和位于它们之间的至少一个含磷光三重态发射体以及磷光金属配合物的有机自发射层。该辐射发射层含嵌于基质中的金属配合物，优选为过渡金属配合物，并含至少一个经取代的或未经取代的胍基配体。

专利类型：发明专利

专利号：CN200880109386.2

专利申请（专利权）人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

专利发明（设计）人：G·施米德

主权项：有机的辐射发射构件，其包括衬底(1)、至少一个下电极层(2)、至少一个有机的辐射发射层(5)和设置于其上的上电极层(9)，其中，该辐射发射层(5)具有基质，在该基质中含至少一种辐射发射性金属配合物，该金属配合物具有至少一个经取代或未经取代的胍基-配体，该胍基-配体经胍-阴离子基团配位到在该金属配合物中所含的中心原子上。

专利地区：德国