硫属化物膜及其制造方法专利登记公告

专利名称：硫属化物膜及其制造方法

摘要：本发明的硫属化物膜，通过溅射在形成在基板上的绝缘层的接触孔内成膜，其中，在上述接触孔的至少底部形成底膜，在该底膜上且在上述接触孔内埋入由硫属化合物形成的结晶层。

专利类型：发明专利

专利号：CN200880109516.2

专利申请（专利权）人：株式会社爱发科

专利发明（设计）人：菊地真;西冈浩;木村勋;神保武人;邹弘纲

主权项：一种硫属化物膜，通过溅射在形成在基板上的绝缘层的接触孔内成膜，其特征在于，在所述接触孔的至少底部形成底膜，在该底膜上且在所述接触孔内埋入由硫属化合物形成的结晶层。

专利地区：日本

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