半导体存储装置和存储系统专利登记公告

专利名称：半导体存储装置和存储系统

摘要：在玻璃构成的衬底(102)上的预定区域中构成pn结型的太阳电池。从光照射部照射的光在透过衬底(102)之后向n型半导体层(124)照射。从太阳电池产生对应于照射光的量的电动势。在太阳电池的上层侧形成控制电路(60)、掩模ROM(70)、发送电路(80)、和天线(90)。半导体存储装置(100)的表面的整个面被绝缘膜(150)覆盖，切断外气的侵入。该绝缘膜(150)代表性地有物理化学上稳定的玻璃或二氧化硅构成。

专利类型：发明专利

专利号：CN200880109897.4

专利申请（专利权）人：夏普株式会社;国立大学法人京都大学;学校法人庆应义塾

专利发明（设计）人：今井繁规;中村行宏;越智裕之;太田直久;小野定康

主权项：一种半导体存储装置，其中，具备：衬底(102)；非易失性存储部(70)，配置在所述衬底上，非易失地对数据进行储存；电力产生部(50；80A)，配置在所述衬底上，接受从外部以非接触状态供给的能量并产生内部电力；发送部(80)，配置在所述衬底上，接受所述内部电力并对储存在所述非易失性存储部中的数据进行无线发送；以及密封膜，对所述非易失性存储部、所述电力产生部、和所述发送部的露出面进行覆盖。

专利地区：日本