生长Ⅲ族氮化物晶体的方法专利登记公告

专利名称：生长Ⅲ族氮化物晶体的方法

摘要：本发明公开了一种能够通过液相法生长大型晶体的生长III族氮化物晶体的方法。本发明具体公开了一种通过液相法生长III族氮化物晶体(10)的方法，所述生长III族氮化物晶体(10)的方法包括：准备III族氮化物晶体衬底(1)的步骤，所述衬底(1)具有与所述III族氮化物晶体(10)相同的化学组成，并具有0.5mm以上的厚度；以及将溶液与所述III族氮化物晶体衬底(1)的主面(1m)接触并且在所述主面(1m)上生长III族氮化物晶体(10)的步骤，所述溶液通过使含氮气体(5)溶于包含III族金属的溶剂(3)中而

专利类型：发明专利

专利号：CN200880110221.7

专利申请（专利权）人：住友电气工业株式会社

专利发明（设计）人：上松康二;吉田浩章;弘田龙;藤原伸介;田中晴子

主权项：一种通过液相技术生长III族氮化物晶体的方法，所述生长III族氮化物晶体的方法包括：准备III族氮化物晶体衬底的步骤，所述衬底具有与所述III族氮化物晶体相同的化学组成，并具有0.5mm以上的厚度；以及将溶液与所述III族氮化物晶体衬底的主面接触以在所述主面上生长III族氮化物晶体的步骤，所述溶液通过使含氮气体溶于包含III族金属的溶剂中而得到。

专利地区：日本