形成陶瓷氧化硅类涂层的方法,生产无机基材的方法,形成陶瓷氧化硅类涂层的试剂,和半导体器件专利登记公告

专利名称：形成陶瓷氧化硅类涂层的方法,生产无机基材的方法,形成陶瓷氧化硅类涂层的试剂,和半导体器件

摘要：通过在无机基材表面上涂布有机基氢硅氧烷/氢硅氧烷共聚物，并通过在惰性气体或含氧气的惰性气体(氧气小于20体积％)内加热到高温，将该涂层转化成陶瓷氧化硅类涂层，形成陶瓷氧化硅类涂层的方法和生产具有这一涂层的无机基材的方法。含有机基氢硅氧烷/氢硅氧烷共聚物或其溶液的涂层形成试剂。一种半导体器件，它包括在无机基底上的氧化硅类涂层上形成的至少一层半导体层。

专利类型：发明专利

专利号：CN200880110251.8

专利申请（专利权）人：道康宁东丽株式会社;陶氏康宁公司

专利发明（设计）人：张原志成;道野哲行;E·D·卡特索里斯;栉引信男;须藤通孝

主权项：一种形成陶瓷氧化硅类涂层的方法，该方法包括：在无机基材的表面上形成包含用硅氧烷单元式(1)表示的有机基氢硅氧烷·氢硅氧烷共聚物的涂层：(HRSiO2/2)n(HSiO3/2)m????????(1)在该式中，R是选自C1-10烷基和C6-10芳基的单价烃基，n是平均值为0.01≤n≤0.80的数，和n+m＝1；和然后在惰性气体或其中氧气小于20体积％的含氧气的惰性气体内，加热该涂布的无机基材到高温，以将该涂层转化成陶瓷氧化硅类涂层。

专利地区：日本