高频溅射装置专利登记公告

专利名称：高频溅射装置

摘要：通过使用控制高频溅射装置的自偏压的方法来提供高质量的磁阻薄膜。为了通过调整基板电位来控制基板的自偏压，根据本发明的高频溅射装置包括：室；排气部件，其对所述室的内部进行排气；气体导入部件，其将气体供给至所述室中；基板座，其设置有基板承载台；转动驱动部件，其能够转动所述基板座；溅射阴极，其设置有靶材承载台，并被配置成所述靶材承载台的表面不与所述基板承载台的表面平行；电极，其设置在所述基板座内；以及可变阻抗机构，其电连接至所述电极以调整所述基板座上的基板电位。

专利类型：发明专利

专利号：CN200880110336.6

专利申请（专利权）人：佳能安内华股份有限公司

专利发明（设计）人：永峰佳纪;中村贯人;恒川孝二

主权项：一种高频溅射装置，包括：室；排气部件，其对所述室的内部进行排气；气体导入部件，其将气体供给至所述室中；基板座，其设置有基板承载台；转动驱动部件，其能够转动所述基板座；溅射阴极，其设置有靶材承载台并用于通过施加高频电力来溅射绝缘体靶材，所述溅射阴极被配置成所述靶材承载台的表面不与所述基板承载台的表面平行；电极，其设置在所述基板座内；以及可变阻抗机构，其电连接至所述电极以调整基板电位。

专利地区：日本