等离子体处理装置中的电荷中和专利登记公告

专利名称：等离子体处理装置中的电荷中和

摘要：一种等离子体处理装置，包括：制程室；源，配置成在制程室内产生等离子体，以及压盘，配置成在制程室内支撑工件。压盘由具有脉冲ON时间周期及脉冲OFF时间周期的脉冲压盘信号来偏置，以在脉冲ON时间周期并且不在脉冲OFF时间周期内朝向工件加速来自等离子体的离子。板状物定位于制程室内。板状物由板状物信号来偏置，以在脉冲压盘信号的脉冲OFF时间周期之一的至少一部份周期内朝向板状物加速来自等离子体的离子，引起从板状物的二次电子发射，以至少部份地中和工件上的电荷积聚。

专利类型：发明专利

专利号：CN200880110355.9

专利申请（专利权）人：瓦里安半导体设备公司

专利发明（设计）人：卢多维克·葛特;史费特那·瑞都凡诺;乔治·D·帕帕守尔艾迪斯;戴文·M·洛吉;维克拉姆·辛;提摩太·J·米勒;方子韦

主权项：一种等离子体处理装置，包括：制程室；源，配置成在所述制程室中产生等离子体；压盘，配置成在所述制程室内支撑工件，所述压盘由具有脉冲ON时间周期及脉冲OFF时间周期的脉冲压盘信号来偏置以在所述脉冲ON时间周期内并且不在所述脉冲OFF时间周期内朝向所述工件而加速来自所述等离子体的离子；以及板状物，定位于所述制程室内，所述板状物由板状物信号来偏置，以朝向所述板状物而加速来自所述等离子体的离子，而在所述脉冲压盘信号的所述脉冲OFF时间周期之一的至少一部份周期内从所述板状物引起二次电子发射来至少部份地中和所述工件上的

专利地区：美国