用于提高封装应力隔离的传感器几何形状专利登记公告

专利名称：用于提高封装应力隔离的传感器几何形状

摘要：本发明公开了一种用于提高封装应力隔离的传感器几何形状。在背板上的埋头孔提高了传感器的应力隔离性能。埋头孔使得保持与封装的接触面积的背板壁变薄。可以调整埋头孔的深度和直径，以找到允许背板吸收更多封装应力的几何形状。背板的壁变薄使其硬度更小，并且允许背板吸收更多在与封装的界面处产生的应力。埋头孔还在背板的底部保持大的表面积，产生了与封装的牢固结合。

专利类型：发明专利

专利号：CN200880111342.3

专利申请（专利权）人：霍尼韦尔国际公司

专利发明（设计）人：G·莫雷尔斯;C·E·斯图尔特;R·A·戴维斯;A·D·布拉德利

主权项：一种用于在传感器封装中提高封装应力隔离的方法，包括：提供形成在背板上的埋头孔，以提高所述背板的应力隔离；调整所述埋头孔的深度和直径，以找到允许所述背板吸收更多封装应力的几何形状；以及应用所述几何形状来降低在所述背板上的偏置温度系数(TCO)。

专利地区：美国