记录介质及其制造方法专利登记公告

专利名称：记录介质及其制造方法

摘要：本发明公开了一种记录介质及其制造方法。更具体而言，公开了一种具有高密度和高能量传递效率的记录介质及其制造方法。所述记录介质包含衬底、在衬底上形成的记录层、在记录层上形成的具有第一硬度的第一覆盖层以及布置在第一覆盖层上的具有第二硬度的第二覆盖层。

专利类型：发明专利

专利号：CN200880111460.4

专利申请（专利权）人：LG电子株式会社

专利发明（设计）人：金真洪;李俊硕;林定植;徐勋

主权项：一种记录介质，包含：衬底：在所述衬底上形成的记录层；在所述记录层上形成的具有第一硬度的第一覆盖层；以及布置在所述第一覆盖层上的具有第二硬度的第二覆盖层。

专利地区：韩国

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