多层存储单元与非型闪存储存系统及其控制器与存取方法专利登记公告

专利名称：多层存储单元与非型闪存储存系统及其控制器与存取方法

摘要：一种多层存储单元(Multi??Level??Cell，MLC)NAND型闪存储存系统，其中此储存系统的控制器会向与其连接的主机系统宣告其为单层存储单元(Single??Level??Cell，SLC)NAND型闪存芯片并且提供多个SLC逻辑区块给此主机系统。并且，当控制器从主机系统接收到写入指令与欲写入的使用者数据时，控制器会写入使用者数据至MLC物理区块的页面中并且记录写入使用者数据的MLC物理区块的页面所对映的SLC逻辑区块的页面，以及当控制器从主机系统接收到抹除指令时，控制器会将欲抹除的SLC逻辑

专利类型：发明专利

专利号：CN200910004439.0

专利申请（专利权）人：群联电子股份有限公司

专利发明（设计）人：朱健华;叶志刚;陈国荣

主权项：一种多层存储单元NAND型闪存储存系统，其用以仿真单层存储单元NAND型闪存芯片，包括：连接器，用以连接主机系统；多层存储单元NAND型闪存芯片，具有多个多层存储单元物理区块并且每一所述多层存储单元物理区块具有多个页面；以及闪存控制器，电性连接至所述多层存储单元NAND型闪存芯片与该连接器，并且提供对应该单层存储单元NAND型闪存芯片的多个单层存储单元逻辑区块给该主机系统，其中每一所述多层存储单元物理区块对映至少两个所述单层存储单元逻辑区块。

专利地区：中国