基于化学极化场效应的分子识别传感器的设计与制作专利登记公告

专利名称：基于化学极化场效应的分子识别传感器的设计与制作

摘要：本发明公开了一种化学极化场效应分子识别传感器的设计及制作工艺。除在器件结构、版图设计和制造工艺方面的创新外，把物理原理与分子自组装技术和工艺相结合，产生新的检测技术和方法。基于化学极性分子和生物分子具有极性并可诱导硅基底产生极性的特点，通过分子自组装技术和LB膜技术将极性分子或生物分子组装于场效应器件的栅介质上成为分子敏感膜栅，该分子敏感膜栅与栅介质材料交换电子，使栅介质材料发生极化，从而改变了栅介质材料中固定电荷的分布和数量。另外，这种自组装结构的分子敏感膜栅与半导体硅之间还存在功函数差。栅介质中固定电

专利类型：发明专利

专利号：CN200910009399.9

专利申请（专利权）人：赣南师范学院

专利发明（设计）人：范小林;袁寿财;李勋;汪志辉;王紫玉

主权项：本发明涉及一种基于化学极化场效应的分子识别传感器的设计及其制作工艺。

专利地区：江西