一种探测集成电路衬底噪声的方法专利登记公告

专利名称：一种探测集成电路衬底噪声的方法

摘要：本发明提供一种探测集成电路衬底噪声的方法，设计一个采用PMOS管组成的信号通路，采用折叠式结构的两级放大器，作为衬底噪声探测电路，衬底噪声探测电路包括噪声信号耦合部分和信号放大电路，衬底噪声探测电路给出噪声的准确时域波形，经过快速傅里叶变化，通过频域信息，得到噪声在频域上的特点，同时能避免在信号通路中因使用NMOS管而引入的噪声，进而为如何减少，甚至避免数字电路引入的衬底噪声对敏感的模拟电路的影响，缩短SOC的设计周期和提高其成功率。

专利类型：发明专利

专利号：CN200910025230.2

专利申请（专利权）人：苏州纳米技术与纳米仿生研究所

专利发明（设计）人：程绮文;张耀辉

主权项：一种探测集成电路衬底噪声的方法，其特征在于：首先设计一个采用PMOS管组成的信号通路，采用折叠式结构的两级放大器，作为衬底噪声探测电路，衬底噪声探测电路给出噪声的准确时域波形，经过快速傅里叶变化，通过频域信息，得到噪声在频域上的特点，进而为减小衬底噪声的影响提供依据；衬底噪声探测电路包括噪声信号耦合部分(1)和信号放大电路(2)，其中，噪声耦合部分(1)包含：电容C1、C2以及NMOS管NM2、NM3、NM4、NM5，C1、C2是两个电容器，C1一端连到外部提供的不受衬底影响的地电位，另一端连到节点1；C

专利地区：江苏