图形转印方法专利登记公告
专利名称：图形转印方法
摘要：本发明公开了一种图形转印方法，使用氟碳比随时间升高的蚀刻气体在对晶圆上未被光阻材料遮挡的部分进行蚀刻。本发明方案既保证在蚀刻初期能够产生足够的聚合物来对晶圆图形侧壁进行保护，又可以在蚀刻后期及时清除过多的聚合物，避免图形侧壁上不规则条纹的产生。
专利类型：发明专利
专利号：CN200910046712.6
专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
专利发明（设计）人：沈满华;黄怡
主权项：一种图形转印方法，其特征在于，使用氟碳比随时间升高的蚀刻气体在对晶圆上未被光阻材料遮挡的部分进行蚀刻。
专利地区：上海
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