金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法专利登记公告

专利名称：金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法

摘要：本发明提供一种金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法，其中，制造方法包括：将本层金属互连层中的金属层间介质刻蚀为U型沟槽后，在所述U型沟槽内及未刻蚀的金属层间介质上依次沉积作为金属-绝缘体-金属MIM电容器下电极板的第一金属层、电介质层及作为MIM电容器上电极板的第二金属层；依次刻蚀第二金属层、电介质层及第一金属层后，形成U型管沟状的MIM电容器。本发明提供的MIM电容器及其制造方法在单位体积上提高电容量。

专利类型：发明专利

专利号：CN200910046769.6

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

专利发明（设计）人：王媛;张步新

主权项：一种金属-绝缘体-金属电容器的制造方法，其特征在于，该方法包括：将本层金属互连层中的金属层间介质刻蚀为U型沟槽后，在所述U型沟槽内及未刻蚀的金属层间介质上依次沉积作为金属-绝缘体-金属MIM电容器下电极板的第一金属层、电介质层及作为MIM电容器上电极板的第二金属层；依次刻蚀第二金属层、电介质层及第一金属层后，形成U型管沟状的MIM电容器。

专利地区：上海