半导体装置的制造方法及系统专利登记公告

专利名称：半导体装置的制造方法及系统

摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法和系统，所述方法包括：由参照晶片获得关键尺寸均匀度分布的目标值；按照参照晶片的工艺菜单对晶片进行半导体加工工艺，并获得所述晶片的关键尺寸均匀度的分布值；计算所述晶片和参照晶片的关键尺寸均匀度分布的相关性因子；当相关性因子小于设定值时更新所述工艺菜单。相应的，本发明还提供一种半导体装置的制造系统。所述半导体装置的制造方法及系统，不必对每批不满足目标值要求的晶片、甚至每一不满足目标值要求的晶片都重新进行工艺菜单的更新，通过引入晶片的相关性因子监测，当经过半导体加工的晶片的相关

专利类型：发明专利

专利号：CN200910046900.9

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

专利发明（设计）人：覃柳莎;顾一鸣

主权项：一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：由参照晶片获得关键尺寸均匀度分布的目标值；按照所述参照晶片的工艺菜单对晶片进行半导体加工工艺，并获得所述晶片的关键尺寸均匀度的分布值；计算所述晶片和参照晶片的关键尺寸均匀度分布的相关性因子；当所述相关性因子小于设定值时更新所述工艺菜单。

专利地区：上海