一种多层浮栅非易失性存储器结构及其制作方法专利登记公告

专利名称：一种多层浮栅非易失性存储器结构及其制作方法

摘要：本发明公开了一种多层浮栅非易失性存储器结构及其制作方法。多层浮栅非易失性存储器结构由下至上依次包括硅衬底、二氧化硅层、硅纳米晶/高温氧化物多层结构、多晶硅层、二氧化硅层和在硅衬底上刻蚀形成的栅和源/漏区，以及在二氧化硅层上刻蚀形成的侧墙。利用本发明，解决了传统Flash技术节点可缩小化问题存在的不足，利用多层浮栅储存电荷增大了存储窗口，使浮栅存储电荷的可靠性增加，提高了浮栅器件的保持特性。

专利类型：发明专利

专利号：CN200910078554.2

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：刘明;王永;王琴;杨潇楠

主权项：一种多层浮栅非易失性存储器结构，其特征在于，该结构由下至上依次包括硅衬底、二氧化硅层、硅纳米晶/高温氧化物多层结构、多晶硅层、二氧化硅层和在硅衬底上刻蚀形成的栅和源/漏区，以及在二氧化硅层上刻蚀形成的侧墙。

专利地区：北京