纵向高压深槽半导体管的制备方法专利登记公告

专利名称：纵向高压深槽半导体管的制备方法

摘要：一种纵向高压硼扩散深槽半导体管的制备方法，该器件的漂移区是P型半导体区和N型半导体区交替排列的形式，漂移区中的P型半导体是通过深槽刻蚀工艺后，向深槽内填充硼磷硅玻璃，然后经过将表面的硼磷硅玻璃刻蚀除去，接着经过退火工艺使硼磷硅玻璃中的硼杂质和磷杂质扩散到深槽侧壁及底部的硅中，由于硼磷硅玻璃中的硼杂质含量远远高于磷杂质含量，因此，使得深槽侧壁及底部的这部分半导体区域变为P型掺杂半导体区。这种方法工艺可控性高、工艺成本低，制作出来的器件的性能高。

专利类型：发明专利

专利号：CN200910185330.1

专利申请（专利权）人：苏州博创集成电路设计有限公司

专利发明（设计）人：易扬波;李海松;王钦;刘侠;陶平

主权项：一种纵向高压深槽半导体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：首先取一块N型掺杂类型半导体衬底(1)，然后在N型掺杂类型半导体衬底(1)上生长N型掺杂类型半导体外延层(2)，接着在N型掺杂类型半导体外延层(2)上生成间隔距离相等的P型掺杂半导体区(4)，接着从P型掺杂半导体区(4)向N型掺杂类型半导体外延层(2)刻蚀并形成深槽(51)，深槽(51)穿过P型掺杂半导体区(4)，接着向深槽(51)中填充熔融的硼磷硅玻璃(19)，接着将表面多余的硼磷硅玻璃去除，然后采用热退火工艺，使得硼磷硅玻璃中的硼杂质和磷杂

专利地区：江苏