电流抑制元件、存储元件及它们的制造方法专利登记公告

专利名称：电流抑制元件、存储元件及它们的制造方法

摘要：本发明一种电流抑制元件、存储元件及它们的制造方法。该存储元件(3)包括：电阻变化元件(1)，其呈矩阵状地配置在存储装置上，其电阻值由于极性为正或负的电脉冲的施加而变化，并且该电阻变化元件(1)维持该变化后的电阻值；和电流抑制元件(2)，其在电脉冲被施加至电阻变化元件(1)时，抑制流动的电流，电流抑制元件(2)包括第一电极、第二电极、以及配置在第一电极和第二电极之间的电流抑制层。电流抑制层由SiNx构成，第一电极和第二电极中的至少一方由α-钨构成。

专利类型：发明专利

专利号：CN200980100361.0

专利申请（专利权）人：松下电器产业株式会社

专利发明（设计）人：有田浩二;三河巧;饭岛光辉;冈田崇志

主权项：一种电流抑制元件，其抑制在极性为正或负的电脉冲施加时流动的电流，该电流抑制元件的特征在于：包括第一电极、电流抑制层和第二电极，所述电流抑制层由SiNx构成，所述第一电极和所述第二电极中的至少一方由α-钨构成。

专利地区：日本