半导体装置的制造方法专利登记公告

专利名称：半导体装置的制造方法

摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法，能够有效地抑制半导体封装件和基板双方的刚性、及热膨胀系数的不同导致的一侧相对大的翘曲、变形、焊锡层等的损伤。由下述工序构成：在成形模K内配置电极(4)、散热焊盘(3)、半导体元件(1)并注入树脂，在该树脂固化前的未固化体(5′)的与散热焊盘(3)相反一侧的侧面配置剥离膜(6)，且在剥离膜(6)的侧面配置刚性材料(7)，未固化体(5′)固化而形成密封树脂体(5)，由此制造半导体封装件的中间体(10)的工序；经由回流焊接在中间体(10)和基板(20)之间形成焊锡层(30)的

专利类型：发明专利

专利号：CN200980161872.3

专利申请（专利权）人：丰田自动车株式会社

专利发明（设计）人：川原央也

主权项：一种半导体装置的制造方法，由散热焊盘、搭载于该散热焊盘上的半导体元件、配置于离开该散热焊盘的位置并与半导体元件电连接的电极、及至少密封半导体元件的密封树脂体形成半导体封装件，将散热焊盘和电极分别经由焊锡层与基板接合而形成所述半导体装置，其中，包括如下工序：第一工序，在成形模内配置所述电极、所述散热焊盘及所述半导体元件并注入所述密封树脂体用的树脂，且在该树脂固化前的未固化体的与所述散热焊盘相反一侧的侧面配置剥离膜，在该剥离膜的与所述未固化体相反一侧的侧面配置刚性材料，所述未固化体固化而形成所述密封树脂体，由

专利地区：日本