功率用半导体装置专利登记公告

专利名称：功率用半导体装置

摘要：在高速开关的功率用半导体装置中，在开关时流过移位电流，从而与其流路的电阻相互作用而产生高电压，由于该电压，栅极绝缘膜那样的薄的绝缘膜有时被绝缘破坏，而半导体装置被破坏。在本发明的半导体装置中，将在功率用半导体装置的外周部配置的p型的阱区域分离为内侧和外侧这2个，在外侧的阱区域上，直至该阱区域的内周的内侧，设置膜厚大于栅极绝缘膜的场氧化膜，所以能够防止由于在开关时流过移位电流所致的电压而使栅极绝缘膜绝缘破坏。

专利类型：发明专利

专利号：CN200980161921.3

专利申请（专利权）人：三菱电机株式会社

专利发明（设计）人：三浦成久;中田修平;大塚健一;渡边昭裕;日野史郎;古川彰彦

主权项：一种功率用半导体装置，其特征在于，具备：第1导电类型的半导体基板；第1导电类型的漂移层，形成于所述半导体基板的第1主面；第2导电类型的第1阱区域，在所述漂移层的表层的一部分中形成了多个该第2导电类型的第1阱区域；第1导电类型的源极区域，形成于多个所述第1阱区域各自的表层的一部分；栅极绝缘膜，形成于多个所述第1阱区域以及所述源极区域上；第2导电类型的第2阱区域，以包围多个所述第1阱区域的方式，与所述第1阱区域隔离地形成；第2导电类型的第3阱区域，在所述第2阱区域的外侧与所述第2阱区域隔离地形成，且面积大于所

专利地区：日本