具有线性预失真器的射频功率放大器专利登记公告

专利名称：具有线性预失真器的射频功率放大器

摘要：一种功率放大器电路包括放大器MOSFET和预失真器MOSFET。所述预失真器MOSFET源极和漏极被连接到一起，且所述预失真器MOSFET被连接在放大器MOSFET的栅极和第二偏置电压信号之间。所述预失真器MOSFET的该偏置使得其在放大器MOSFET的栅极处提供非线性电容。放大器MOSFET和预失真器MOSFET的组合的非线性电容提供促进消除单独由放大器MOSFET带来的失真或非线性的预失真。

专利类型：发明专利

专利号：CN200980161984.9

专利申请（专利权）人：天工方案公司

专利发明（设计）人：H.R.阿米尔费罗兹库西;B.阿加瓦尔;H.阿克约尔

主权项：一种用于射频(RF)发送器的功率放大器电路，包括：放大器金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，具有经由线性电容耦接于第一偏置电压且耦接于输入电压信号的栅极端，源极端和漏极端中的一个耦接于参考电压，源极端和漏极端中的另一个耦接于电流电路，其中，所述源极端和漏极端中的一个响应于输入电压信号而提供输出电流信号；以及预失真器MOSFET，连接在放大器MOSFET的栅极端和第二偏置电压信号之间，所述预失真器MOSFET的源极端连接到所述预失真器MOSFET的漏极端。

专利地区：美国