对电子器件中的损耗的响应专利登记公告

专利名称：对电子器件中的损耗的响应

摘要：一种电子器件(10)，包括：对损耗效应敏感的第一部件（12），该第一部件（12）的操作取决于操作参数（V1）；具有导通状态和截止状态的第二部件（14）。电子器件（10）还包括用于更新对第二部件（14）处于导通状态的累积时间的估计的时间估计器（16）；用于基于累积时间估计来控制操作参数以便于对期望损耗效应进行响应的控制器（18）。第一部件（12）和第二部件（14）可以是相同的，或者第一部件（12）可以具有与第二部件（14）的导通状态相关的导通状态。操作参数可以是例如下述中一个的电平或幅度或校正值：施加在第一

专利类型：发明专利

专利号：CN200980162323.8

专利申请（专利权）人：飞思卡尔半导体公司

专利发明（设计）人：迈克尔·普里尔;安东·罗森;约西·绍沙尼

主权项：一种电子器件(10)，包括：第一部件（12），所述第一部件（12）对损耗效应敏感，所述第一部件（12）的操作取决于操作参数（V1）；第二部件（14），所述第二部件（14）具有导通状态和截止状态；时间估计器（16），所述时间估计器（16）用于更新对所述第二部件（14）处于导通状态的累积时间的估计；以及控制器（18），所述控制器（18）用于基于累积时间估计来控制所述操作参数，以便对期望损耗效应进行响应。

专利地区：美国