横向功率晶体管器件及其制造方法专利登记公告

专利名称：横向功率晶体管器件及其制造方法

摘要：一种横向功率晶体管器件包括衬底(100)和包含异质结结构的多层台面结构(112、114)。填充沟槽区域(116)被定位为邻接多层台面结构(112、114)，填充沟槽区域(116)被金属占据。

专利类型：发明专利

专利号：CN200980162481.3

专利申请（专利权）人：飞思卡尔半导体公司

专利发明（设计）人：菲利普·雷诺

主权项：一种横向功率晶体管器件，包括：衬底；位于所述衬底上的多层台面结构，所述多层台面结构包括异质结结构；以及填充沟槽，所述填充沟槽填充有导电材料并且位置与所述多层台面结构邻接，所述多层台面结构的侧表面与所述导电材料电接触。

专利地区：美国

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