垂直功率晶体管器件、半导体管芯及制造垂直功率晶体管器件的方法专利登记公告

专利名称：垂直功率晶体管器件、半导体管芯及制造垂直功率晶体管器件的方法

摘要：一种垂直功率晶体管器件，包括：衬底（100），其由III-V族半导体材料形成；和多层堆叠（116），其至少部分地容纳在所述衬底（100）中。所述多层堆叠包括：半绝缘层（108），其邻近所述衬底（100）设置；和第一层（110），其由第一III-V族半导体材料形成，并邻近所述半绝缘层（108）设置。多层堆叠（116）还包括：第二层（112），其由第二III-V族半导体材料形成，并邻近所述第一层（110）设置；和异质结，其形成在第一层和第二层的界面处。

专利类型：发明专利

专利号：CN200980162502.1

专利申请（专利权）人：飞思卡尔半导体公司

专利发明（设计）人：菲利普·雷诺;布鲁斯·格林

主权项：一种垂直功率晶体管器件，包括：由III?V族半导体材料形成的衬底和至少部分地容纳在所述衬底中的多层堆叠，所述多层堆叠包括：第一层，所述第一层由第一III?V族半导体材料形成；第二层，所述第二层由第二III?V族半导体材料形成；异质结，所述异质结形成在所述第一层和所述第二层的界面处；半绝缘层，所述半绝缘层设置在所述衬底和所述第一层之间，用于在凹槽中使所述异质结与所述衬底电绝缘。

专利地区：美国