第III族氮化物半导体纵向结构LED芯片及其制造方法专利登记公告

专利名称：第III族氮化物半导体纵向结构LED芯片及其制造方法

摘要：公开了：一种在发光结构体很少经受破裂，并具有高质量的纵向LED芯片；以及用于生产该LED芯片的方法。所述方法包括：发光层压体形成步骤：层压顺次层压于生长基板上的第一导电型第III族氮化物半导体层、发光层和第二导电型第III族氮化物半导体层(其类型与第一导电型不同)，从而形成发光层压体；发光结构体形成步骤：除去发光层压体的部分，以便暴露生长基板的部分，从而形成多个分离的发光结构体；形成连接层的步骤，导电性支承部通过所述连接层连接至多个发光结构体；形成可通过所述连接层充当下部电极的导电性支承部的步骤；从多个发

专利类型：发明专利

专利号：CN200980163264.6

专利申请（专利权）人：伟方亮有限公司;同和电子科技有限公司

专利发明（设计）人：曹明焕;李锡雨;张弼国;鸟羽隆一;丰田达宪;门胁嘉孝

主权项：一种用于制造第III族氮化物半导体纵向结构LED芯片的方法，其包括：发光层压体形成步骤，其通过在生长基板上顺次堆叠第一导电型第III族氮化物半导体层、发光层和第二导电型第III族氮化物半导体层而形成发光层压体，所述第二导电型与所述第一导电型不同；发光结构体形成步骤，其通过部分除去所述发光层压体以部分暴露所述生长基板来形成多个单独的发光结构体；在所述多个发光结构体上形成欧姆电极层和连接层的步骤；在所述连接层上形成还充当下部电极的导电性支承体的步骤；从所述多个发光结构体剥离所述生长基板的分离步骤；和切断所述发

专利地区：韩国