超晶格结构的纳米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制备方法专利登记公告
专利名称：超晶格结构的纳米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制备方法
摘要：本发明提供一种超晶格结构的纳米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制备方法，属于材料表面技术领域。本发明该超硬膜是由电弧离子镀的纳米晶体相Cr2N和磁控溅射镀的非晶体相WC层交替沉积而成，并且，超晶格的调制周期为10～20nm，Cr2N单层和WC单层的厚度分别为8～14nm和2～6nm。本发明的优点在于：Cr2N层与WC层交替分布实现了Cr-N基膜成分多元化和结构多层化，解决了抗氧化性较强的Cr-N基膜获得超高硬度的难题，同时非晶WC层进一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蚀性能，满足不能热处理的各类产品的表面
专利类型：发明专利
专利号：CN201010103701.X
专利申请（专利权）人：安徽工业大学
专利发明（设计）人：张世宏;李明喜
主权项：一种超晶格结构的纳米晶Cr2N/非晶WC超硬膜，其特征在于该超硬膜是由电弧离子镀的纳米晶体相Cr2N和磁控溅射镀的非晶体相WC层交替沉积而成，并且，超晶格的调制周期为10～20nm，Cr2N单层和WC单层的厚度分别为8～14nm和2～6nm。
专利地区：安徽
关于上述专利公告申明 : 上述专利公告转载自国家知识产权局网站专利公告栏目，不代表该专利由我公司代理取得，上述专利权利属于专利权人，未经（专利权人）许可，擅自商用是侵权行为。如您希望使用该专利，请搜索专利权人联系方式，获得专利权人的授权许可。